Electrodos de magnesio y aluminio en pilas eléctricas]]> Grunwaldt Ramasso, Jorge]]> Información sobre Derechos de Autor

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La legislación uruguaya protege el derecho de autor sobre toda creación literaria, científica o artística, tanto en lo que tiene que ver con sus derechos morales, como en lo referente a los derechos patrimoniales con sujeción a lo establecido por el derecho común y las siguientes leyes (LEY 9.739 DE 17 DE DICIEMBRE DE 1937 SOBRE PROPIEDAD LITERARIA Y ARTISTICA CON LAS MODIFICACIONES INTRODUCIDAS POR LA LEY DE DERECHO DE AUTOR Y DERECHOS CONEXOS No. 17.616 DE 10 DE ENERO DE 2003, LEY 17.805 DE 26 DE AGOSTO DE 2004, LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006 LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006)

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]]> Electrodos de plata, cloruro de plata (Ag, AgCl) : preparación, estabilidad, determinación del potencial standard (Eº25ºC)]]> ELECTRODOS]]> PLATA]]> CLORURO DE PLATA]]> PREPARACION]]> ESTABILIDAD]]> POTENCIAL ESTANDAR]]> SILVER]]> SILVER CHLORIDE ELECTRODES]]> PREPARATION]]> STABILITY]]> Electrofóresis en agar gel]]> ELECTROFORESIS]]> AGAR]]> Electrofóresis en gel de almidón : 1) Separación de los diferentes subgrupos de Alfa1 antitripsina (proteínas). 2) Para el estudio de prealbumina]]> ELECTROFORESIS]]> ALMIDONES]]> ANTITRIPSINA]]> PREALBUMINA]]> Electrolyte effects on the intervalence transition within discrete binuclear cyano-bridged complexes. An estimation of activation free energy from static : optical and electrochemical data]]> Pérez-Tejeda, P.]]> López Pérez, G.]]> Prado-Gotor, R.]]> Sánchez, F.]]> Gónzalez Arjona, D.]]> López-López, M.]]> Bozoglian, F.]]> González Muzio, Gabriel Belmonte]]> Martínez, M.]]> Información sobre Derechos de Autor

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(LEY 9.739 DE 17 DE DICIEMBRE DE 1937 SOBRE PROPIEDAD LITERARIA Y ARTISTICA CON LAS MODIFICACIONES INTRODUCIDAS POR LA LEY DE DERECHO DE AUTOR Y DERECHOS CONEXOS No. 17.616 DE 10 DE ENERO DE 2003, LEY 17.805 DE 26 DE AGOSTO DE 2004, LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006 LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006)

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]]> Electrolytic Formation of Technetium Complexes with Pi-Acceptor Ligands.]]> Cerdá, María Fernanda]]> Kremer, Carlos]]> Gambino, Dinorah]]> Kremer, Eduardo]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Electrolytic pertechnetate 99mTcO4 reduction : A different pathway to obtain 99mTc labelled compounds]]> Savio, E.]]> Kremer, C.]]> Gambino, D.]]> Kremer, E]]> León, A.]]> Información sobre Derechos de Autor

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La legislación uruguaya protege el derecho de autor sobre toda creación literaria, científica o artística, tanto en lo que tiene que ver con sus derechos morales, como en lo referente a los derechos patrimoniales con sujeción a lo establecido por el derecho común y las siguientes leyes (LEY 9.739 DE 17 DE DICIEMBRE DE 1937 SOBRE PROPIEDAD LITERARIA Y ARTISTICA CON LAS MODIFICACIONES INTRODUCIDAS POR LA LEY DE DERECHO DE AUTOR Y DERECHOS CONEXOS No. 17.616 DE 10 DE ENERO DE 2003, LEY 17.805 DE 26 DE AGOSTO DE 2004, LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006 LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006)

]]> Electrolytic pertechnetate-99 reduction at inert electrodes : an alternative synthetic route to Technetium complexes]]> Kremer, C.]]> Gambino, D.]]> León, A.]]> Kremer, E.]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Electron Spin Resonances and Cyclic Voltammetry Studies of Nitrofurane and Nitrothiophene Analogues of Nifurtimox.]]> Olea-Azar, Claudio]]> Atria, Ana María]]> Di Maio, Rossanna]]> Seoane, Gustavo]]> Cerecetto, Hugo]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Electron Transfer Catalyzed [2 +2] Cycloreversion of Benzene Dimers.]]> Hudlicky, T]]> Schapiro, Valeria]]> González, David]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Electron-transfer reactions of ion pairs : reduction of various (carboxylato) pentaamminecobalt (III) complexes by hexacyanoferrate (II)]]> Kremer, E.]]> Cha, G]]> Morkevicius, M.]]> Seaman, M.]]> Haim, A.]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Electronic and optical properties of sulfur and nitrogen doped graphene quantum dots : A theoretical study]]> Mombrú, Dominique]]> Romero, Mariano]]> Faccio, Ricardo.]]> Mombrú, Álvaro W.]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Electronic and structural distortions in graphene induced by carbon vacancies and boron doping.]]> Faccio, Ricardo]]> Fernández Werner, Luciana]]> Pardo, Helena]]> Goyenola, Cecilia]]> Ventura, Oscar N]]> Mombrú, Alvaro W]]> Electronic properties and free radical production by nitrofuran compounds]]> Paulino, M.]]> Hansz, M.]]> Hikichi, N.]]> Stoppani, A.]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Electronic properties and redox activity of naphthoquinones.]]> Paulino, Margot]]> Hansz, M]]> Hikichi, N]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Electronic spectra of oxocomplexes of Re(V) with thiolato ligands.]]> Gancheff, Jorge S.]]> Denis, Pablo A.]]> Hahn, F. E.]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Electronic structure of a-Al2O3 slabs : A local environment study]]> In thisworkweperformedan ab initio/DensityFunctionalTheory(DFT)studyofstructuraland electronicpropertiesofthe(001) a-Al2O3 surface.Forthisstudyweusedtwomethodswithdifferent basisset:theFull-PotentialAugmentedPlaneWavepluslocalorbital(FP-APWþlo) andalinear combinationofnumericallocalizedatomicorbitalbasissets,employingtheWIEN2kcodeandthe SIESTA code,respectively.Inordertocalculatethestructuralandelectronicpropertiesofthe reconstructedsurface,wecalculatedthefinalequilibriumatomicpositionwiththeSIESTAcodeand then theelectric-fieldgradient(EFG)atAlsiteswascalculatedwiththeFP-APWþlo codeusingthe optimizedpositions.Usingthisprocedurewefoundequilibriumstructureswithcomparativelower energy thanthoseobtainedusingonlytheFP-APWþlo method.TheEFGtensorandthelocalstructure for Alwerestudiedasafunctionofthedepthfromthesurfacefortherelaxedstructures.Wefoundthat distancesdownto6 ˚A fromthesurfacearesufficienttoconvergetheEFGandtheAl–Odistancesto bulk values.ThepredictedbulkEFGattheAlsiteisingoodagreementwithavailableexperimental values.Theseresultscanbeusedforlocalprobespurposes,e.g.,inthecaseofdoping,withimportant sensitivityforprobeslocatedclosetothetopofthesurface,inparticularfordistancessmallerthan6 ˚ A.

]]> Darriba, Germán N]]> Faccio, Ricardo]]> Rentería, Mario]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Electronic structure properties of boron–doped and carbon–boron–codoped TiO2(B) for photocatalytic applications]]> Heffner, Herman]]> Faccio, Ricardo]]> López Corral, Ignacio]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Electrophilic nitroalkenetocopherol derivatives : synthesis, physicochemical characterization and evaluation of antiinflammatory signaling responses]]> Rodríguez Duarte, Jorge.]]> Dapueto Capuccio, Rosina.]]> Galliussi, Germán.]]> Turell, Lucía]]> Kamaid, Andrés]]> Khoo, Nicholas K. H.]]> Schopfer, Francisco J.]]> Freeman, Bruce A.]]> Escande, Carlos]]> Batthyány, Carlos]]> Ferrer Sueta, Gerardo.]]> López, Gloria V.]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Electrophoretic mobility : primary electroviscous effect and colloid stability of highly charged polystyrene latexes]]> Chabalgoity, Alejandro]]> Martín, A.]]> Galisteo, F.]]> Hidalgo, Rodrigo]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Electroreducción de oxígeno molecular]]> Zinola Sánchez, Carlos Fernando]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Elementos químicos fotosensibles. Sensibilizadores ópticos. Emulsiones fotográficas. Papeles fotográficos]]> PRODUCTOS QUIMICOS FOTOGRAFICOS]]> PAPELES PARA REPROGRAFIA]]> HALOGENOS]]> SENSIBILIZADORES]]> EMULSIONES]]> GELATINAS]]> COLORIDOS]]> Elucidación de nuevos O-glicanos mucínicos de la capa laminar de Echinococcus granulosus]]> Lin Gerardo]]> Dr. Díaz, Alvaro (Director de Tesis)]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Elucidating the electronic and magnetic properties of epitaxial graphene grown on SiC with a defective buffer layer]]> The epitaxial graphene layer (EG) grown on silicon carbide (SiC) is severely affected by the presence of the underlying graphene buffer layer (BL). However, little information is available on the alteration of the magnetic and electronic properties of the top layer when the BL presents structural defects. Herein, by
means of first-principle density functional calculations, we investigate the electronic and magnetic properties of the SiC–BL–EG system, with a single vacancy, divacancy or a Stone–Wales defective buffer layer. Our results indicate that new highly stable magnetic states are observed in the SiC–BL–EG nondefective and defective systems, as compared to the SiC–BL models. In addition, the energy differences among the degenerate magnetic states originally found in the SiC-defective systems are further reduced upon inclusion of the EG layer.
Interestingly, for the single-vacancy system, a p-type doping is noticed in the spin down channel of the M = 4 lB configuration. This is in sharp contrast with the n-type doping generally measured for EG. Moreover, charge neutrality was observed in two cases namely, the half-semimetal ferromagnetic configurations of the non-defective and the single-vacancy systems. This result may open new avenues to control the electronic doping of the epitaxial graphene layer via defect engineering.

]]> Pereyra Huelmo, C.]]> Iribarne, Federico]]> Denis, Pablo A.]]> Información sobre Derechos de Autor

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