Ab-initio study of vacancy-defective aluminium nitride nanosheets as trifluoroacetonitrile gas sensor]]> González Fá, A. J.]]> Luna, C. R.]]> Marchetti, J. M.]]> Faccio, Ricardo]]> López Corral, I.]]> Información sobre Derechos de Autor

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La legislación uruguaya protege el derecho de autor sobre toda creación literaria, científica o artística, tanto en lo que tiene que ver con sus derechos morales, como en lo referente a los derechos patrimoniales con sujeción a lo establecido por el derecho común y las siguientes leyes (LEY 9.739 DE 17 DE DICIEMBRE DE 1937 SOBRE PROPIEDAD LITERARIA Y ARTISTICA CON LAS MODIFICACIONES INTRODUCIDAS POR LA LEY DE DERECHO DE AUTOR Y DERECHOS CONEXOS No. 17.616 DE 10 DE ENERO DE 2003, LEY 17.805 DE 26 DE AGOSTO DE 2004, LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006 LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006)

ADVERTENCIA - La consulta de este documento queda condicionada a la aceptación de las siguientes condiciones de uso: Este documento es únicamente para usos privados enmarcados en actividades de investigación y docencia. No se autoriza su reproducción con fines de lucro. Esta reserva de derechos afecta tanto los datos del documento como a sus contenidos. En la utilización o cita de partes debe indicarse el nombre de la persona autora.

]]> Detection of SOF2 and SO2F2 through aluminium nitride nanosheets: a DFT study]]> Detection of sulfuryl fluoride (SO2F2) and thionyl fluoride (SOF2) can be used to find out the degradation of sulfur hexafluoride (SF6), indicating gas insulation switchgear equipment failures. In the present work, we study through first-principle DFT calculations the SOF2 and SO2F2 adsorption on aluminium nitride nanosheets (AlNNS), with the aim of to evaluate the performance of this nanomaterial as gas sensor. First, we performed an energetic, geometric and bonding analysis, obtaining considerable adsorption energy values for SO2F2 and SOF2 (−1.63 and −1.93 eV, respectively), which suggests these gases are chemisorbed on the AlN surface.
Furthermore, certain SeF bonds were broken during adsorption, while new AleF and SeN overlaps were developed. Simultaneously, an important weakening was observed for AleN bonds close to the adsorption site. The adsorption selectivity of AlNNS toward SO2F2 and SOF2 was also studied, noting that other molecules normally present in air show a lower reactivity.
Band structure and electronic density of states were realized in order to evaluate the sensing capacity of AlNNS surface. The obtained plots show a notorious narrowing of the band gap after gas adsorption, particularly in the case of SOF2, so an important change in the conductivity of AlNNS could be expected during gas exposition. Charge density analysis reveals an important charge transfer from AlNNS to both adsorbed gases, which suggest that this nanomaterial could behave as an n-type semiconductor. These results seem to indicate that
AlNNS could act with good sensibility and selectivity for SOF2 and SO2F2 detection, showing high potential as gas sensing material.

]]> González Fá, Alejandro J.]]> Faccio, Ricardo]]> López Corral, I.]]> Información sobre Derechos de Autor

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La legislación uruguaya protege el derechode autor sobre toda creación literaria, científica o artística, tanto en lo que tiene que ver con sus derechos morales, como en lo referente a los derechos patrimoniales con sujeción a lo establecido por el derecho común y las siguientes leyes (LEY 9.739 DE 17 DE DICIEMBRE DE 1937 SOBRE PROPIEDAD LITERARIA Y ARTISTICA CON LAS MODIFICACIONES INTRODUCIDAS POR LA LEY DE DERECHO DE AUTOR Y DERECHOS CONEXOS No. 17.616 DE 10 DE ENERO DE 2003, LEY 17.805 DE 26 DE AGOSTO DE 2004, LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006 LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006)

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