Influence of oxygen stoichiometry on the electronic structure of TinO2n-1 Magnéli phases: insights from density function theory]]> Fernández Werner, Luciana]]> Esteves, Martín]]> Olivera Rohrer, Melisa]]> Faccio, Ricardo]]> Información sobre Derechos de Autor

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La legislación uruguaya protege el derecho de autor sobre toda creación literaria, científica o artística, tanto en lo que tiene que ver con sus derechos morales, como en lo referente a los derechos patrimoniales con sujeción a lo establecido por el derecho común y las siguientes leyes (LEY 9.739 DE 17 DE DICIEMBRE DE 1937 SOBRE PROPIEDAD LITERARIA Y ARTISTICA CON LAS MODIFICACIONES INTRODUCIDAS POR LA LEY DE DERECHO DE AUTOR Y DERECHOS CONEXOS No. 17.616 DE 10 DE ENERO DE 2003, LEY 17.805 DE 26 DE AGOSTO DE 2004, LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006 LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006)

ADVERTENCIA - La consulta de este documento queda condicionada a la aceptación de las siguientes condiciones de uso: Este documento es únicamente para usos privados enmarcados en actividades de investigación y docencia. No se autoriza su reproducción con fines de lucro. Esta reserva de derechos afecta tanto los datos del documento como a sus contenidos. En la utilización o cita de partes debe indicarse el nombre de la persona autora]]> On the electronic properties of defective graphene buffer layer on 6HeSiC(0001)]]> on silicon carbide (SiC) can be modified by defect-induced itinerant states. Band structures and effective
masses of single vacancy (SV), divacancy (DV) and Stone-Wales (SW) defective BL were calculated.
Structural reconstruction at the vicinity of defects as well as spin polarization of silicon dangling bonds in the top bilayer SiC and nearby carbons from the BL, give rise to energetically degenerate magnetic states displaying electronic properties completely apart. This is particularly true for the SW and SV defective models where as many as three different magnetic states, turned out to be degenerate, either displaying a semiconductor nature or becoming half-metallic or even metallic. This is in contrast with previously reported results for the perfect BL (PBL) which suggested that most stable degenerate magnetic configurations share a semiconductor nature. On the other hand, for the DV system, the introduction of two
vacancies in the BL causes loss of magnetism whereas a band gap of 0.54 eV is opened. Hole effective masses decay upon removal of one and two carbon atoms in the SV and DV systems where an increase in
mobility is conceivable, provided current direction is carefully selected.]]> Pereyra Huelmo, Claudia]]> Iribarne, Federico]]> Denis, Pablo A.]]>

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La legislación uruguaya protege el derechode autor sobre toda creación literaria, científica o artística, tanto en lo que tiene que ver con sus derechos morales, como en lo referente a los derechos patrimoniales con sujeción a lo establecido por el derecho común y las siguientes leyes (LEY 9.739 DE 17 DE DICIEMBRE DE 1937 SOBRE PROPIEDAD LITERARIA Y ARTISTICA CON LAS MODIFICACIONES INTRODUCIDAS POR LA LEY DE DERECHO DE AUTOR Y DERECHOS CONEXOS No. 17.616 DE 10 DE ENERO DE 2003, LEY 17.805 DE 26 DE AGOSTO DE 2004, LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006 LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006)

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]]> 10.1016/j.cocom.2021.e00538 ]]> Elucidating the electronic and magnetic properties of epitaxial graphene grown on SiC with a defective buffer layer]]> The epitaxial graphene layer (EG) grown on silicon carbide (SiC) is severely affected by the presence of the underlying graphene buffer layer (BL). However, little information is available on the alteration of the magnetic and electronic properties of the top layer when the BL presents structural defects. Herein, by
means of first-principle density functional calculations, we investigate the electronic and magnetic properties of the SiC–BL–EG system, with a single vacancy, divacancy or a Stone–Wales defective buffer layer. Our results indicate that new highly stable magnetic states are observed in the SiC–BL–EG nondefective and defective systems, as compared to the SiC–BL models. In addition, the energy differences among the degenerate magnetic states originally found in the SiC-defective systems are further reduced upon inclusion of the EG layer.
Interestingly, for the single-vacancy system, a p-type doping is noticed in the spin down channel of the M = 4 lB configuration. This is in sharp contrast with the n-type doping generally measured for EG. Moreover, charge neutrality was observed in two cases namely, the half-semimetal ferromagnetic configurations of the non-defective and the single-vacancy systems. This result may open new avenues to control the electronic doping of the epitaxial graphene layer via defect engineering.

]]> Pereyra Huelmo, C.]]> Iribarne, Federico]]> Denis, Pablo A.]]> Información sobre Derechos de Autor

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La legislación uruguaya protege el derecho de autor sobre toda creación literaria, científica o artística, tanto en lo que tiene que ver con sus derechos morales, como en lo referente a los derechos patrimoniales con sujeción a lo establecido por el derecho común y las siguientes leyes (LEY 9.739 DE 17 DE DICIEMBRE DE 1937 SOBRE PROPIEDAD LITERARIA Y ARTISTICA CON LAS MODIFICACIONES INTRODUCIDAS POR LA LEY DE DERECHO DE AUTOR Y DERECHOS CONEXOS No. 17.616 DE 10 DE ENERO DE 2003, LEY 17.805 DE 26 DE AGOSTO DE 2004, LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006 LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006)

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]]> Preparation of In-doped Y2O3 ceramics through a sol-gel process: Effects on the structural and electronic properties]]> Richard, Diego]]> Rentería, Mario]]> Carbonari, Arthur W.]]> Romero, Mariano]]> Faccio, Ricardo]]> Información sobre Derechos de (Por favor lea este aviso  Autorantes de abrir los documentos u objetos) La legislación uruguaya protege el derecho de autor sobre toda creación literaria, científica o artística, tanto en lo que tiene que ver con sus derechos morales, como en lo referente a los derechos patrimoniales con sujeción a lo establecido por el derecho común y las siguientes leyes (LEY 9.739 DE 17 DE DICIEMBRE DE 1937 SOBRE PROPIEDAD LITERARIA Y ARTISTICA CON LAS MODIFICACIONES INTRODUCIDAS POR LA LEY DE DERECHO DE AUTOR Y DERECHOS CONEXOS No. 17.616 DE 10 DE ENERO DE 2003, LEY 17.805 DE 26 DE AGOSTO DE 2004, LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006 LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006) ADVERTENCIA - La consulta de este documento queda condicionada a la aceptación de las siguientes condiciones de uso: Este documento es únicamente para usos privados enmarcados en actividades de investigación y docencia. No se autoriza su reproducción con fines de lucro. Esta reserva de derechos afecta tanto los datos del documento como a sus contenidos. En la utilización o cita de partes debe indicarse el nombre de la persona autora.]]> Theoretical investigation of various aspects of two dimensional holey boroxine, B3O3]]> Denis, Pablo A.]]> Ullah, Saif
]]> Sato, Fernando]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Electric field gradient study on pure and Cd-doped In(111) surfaces : Correlation between experiments at the atomic scale and first-principles calculation]]> Darriba, Germán N.]]> Faccio, Ricardo.]]> Rentería, M.]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Unusual enhancement of the adsorption energies of Sodium and Potassium in Sulfur-Nitrogen and Silicon-Boron codoped Graphene]]> Ullah, Saif]]> Denis, Pablo A.]]> Sato, Fernando]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> The effect of the dopant nature on the reactivity, interlayer bonding and electronic properties of dual doped bilayer graphene]]> Denis, Pablo A.]]> Iribarne, Federico]]> Información sobre Derechos de Autor

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]]> Tuning the electronic properties of doped bilayer graphene with small structural changes]]> Denis, Pablo A.]]> Información sobre Derechos de Autor

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