Band gap opening of monolayer and bilayer graphene doped with aluminium, silicon, phosphorus, and sulfur.

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Título

Band gap opening of monolayer and bilayer graphene doped with aluminium, silicon, phosphorus, and sulfur.

Tema

GRAFENO
QUÍMICA FÍSICA
BIBLIOGRAFIA NACIONAL QUÍMICA
2010

Abstract

The chemical doping of monolayer and bilayer graphene with aluminium, silicon, phosphorus and sulfur was investigated. Si-doped graphene has the lowest formation energy although it is semimetallic. P-doped graphene has a magnetic moment of 1 lB and for 3 at.% of doping the band gap is 0.67 eV. Al-doped graphene is very unstable but it is an attractive material because it is metallic. To reduce the formation energies of the substitutional defects we investigated the formation of interlayer bonds in bilayer graphene. Phosphorus forms the strongest bonds between layers giving particular stability to this material. P-doped bilayer graphene has a gap of 0.43 eV but it is has no magnetic moment.

Fuente

Chemical Physics Letters v. 492, no. 4-6, 2010. -- p. 251 -257

Editor

Elsevier

Fecha

2010

Derechos

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Formato

PDF

Idioma

Inglés

Tipo

Artículo

Identificador

doi:10.1016/j.cplett.2010.04.038

Document Item Type Metadata

Original Format

PDF
Fecha de agregación
December 8, 2014
Colección
Bibliografía Nacional Química
Tipo de Elemento
Document
Etiquetas
,
Citación
Denis, Pablo A., “Band gap opening of monolayer and bilayer graphene doped with aluminium, silicon, phosphorus, and sulfur.,” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed May 28, 2020, http://riquim.fq.edu.uy/items/show/2158.
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