Simulation and characterization of CdTe:Bi crystals grown by the Markov method.

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Título

Simulation and characterization of CdTe:Bi crystals grown by the Markov method.

Tema

CRISTALOGRAFIA
BIBLIOGRAFIA NACIONAL QUIMICA
2005

Abstract

CdTe pure and Bi-doped crystals were grown by the Markov method using an insulating element between the ampoule and the furnace. The numerical simulation performed shows that the presence of a graphite element causes a diminution of the axial temperature gradient, reducing the natural convection inside the growth chamber. This leads to a more stable growth process, improving the crystal quality. Morphological surface studies, Raman spectroscopy and photoluminescence mapping, support our prediction about the improved crystal quality when the graphite insulating element is included in the growth system. Its influence on different defects of the crystal is also discussed.

Autor

Saucedo, E
Ruiz, C. M
Martinez, O
Sochinskii, N.V
Sanz, L. F
Dieguez, E

Fuente

Journal of Crystal Growth v. 275, no. 1-2, 2005. -- p. e471-e477

Editor

Elsevier

Fecha

2005

Derechos

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Formato

PDF

Idioma

Inglés

Tipo

Artículo

Identificador

doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.11.114

Document Item Type Metadata

Original Format

PDF
Fecha de agregación
April 6, 2015
Colección
Bibliografía Nacional Química
Tipo de Elemento
Document
Etiquetas
Citación
Saucedo, E, “Simulation and characterization of CdTe:Bi crystals grown by the Markov method.,” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed October 22, 2019, http://riquim.fq.edu.uy/items/show/2640.
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