Formation of CdTe columnar structures prompted by In- and Ga-rich nanodots.

Dublin Core

Título

Formation of CdTe columnar structures prompted by In- and Ga-rich nanodots.

Tema

CRISTALOGRAFIA
BIBLIOGRAFIA NACIONAL QUIMICA
2005

Abstract

The vapor-phase epitaxy (VPE) deposition of CdTe on III–V heterosubstrates was performed in order to investigate the formation of micro-pixels usable in X-ray and thermo-photovoltaic converters. InSb and (Ga)InSb layers grown by molecular beam epitaxy on semi-insulating GaAs (1 0 0) wafers were employed as substrates. In these layers, the presence of Ga- and In-rich dots (200–500nm in diameter) was detected using AFM and SEM-EDAX techniques. We found that these dots, which are in liquid phase at the VPE growth temperature (450 1C), act as nucleation points during the VPE process and prompt the selective area deposition of CdTe leading to the formation of columnar structures. Two important trends related to the growth morphology were established. First, the group V element does not affect the growth of CdTe columnar structures, i.e. the formation of these structures is independent of As or Sb. Second, the Inrich dots prompt the formation of CdTe columnar structures than the Ga-rich dots better.

Autor

Sochinskii, N. V
Silveira, J. P
Briones, F
Saucedo, E
Herrero, C. M
Bermudez, V
Diéguez, E

Fuente

Journal of Crystal Growth v. 275, no. 1-2, 2005. -- p. e1131-e1135

Editor

Elsevier

Fecha

2005

Derechos

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Formato

PDF

Idioma

Inglés

Tipo

Artículo

Identificador

doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.11.202

Document Item Type Metadata

Original Format

PDF
Fecha de agregación
April 6, 2015
Colección
Bibliografía Nacional Química
Tipo de Elemento
Document
Etiquetas
Citación
Sochinskii, N. V, “Formation of CdTe columnar structures prompted by In- and Ga-rich nanodots.,” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed August 12, 2020, http://riquim.fq.edu.uy/items/show/2647.
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