Growth of lead bromide polycrystalline films.

Dublin Core

Título

Growth of lead bromide polycrystalline films.

Tema

CRISTALOGRAFIA
BROMURO DE PLOMO
BIBLIOGRAFIA NACIONAL QUIMICA
2004

Abstract

Lead bromide polycrystalline films were grown by the physical vapor deposition method (PVD). Glass 1″x1″ in size, uncoated, and coated with Indium Tin Oxide (ITO), was used as substrate and rear contact. The starting material was evaporated at temperatures from 395°C to 530°C under high vacuum atmosphere (6 x 10-3 Pa) and during 8 days. The substrate temperature was prefixed from 190°C to 220°C. Film thickness yielded values from 40 to 90 μm. Optical microscopy and scanning electron microscopy (SEM) were performed on the films. Grain size resulted to be from 1.0 to 3.5 μm. SEM and X-ray diffraction indicate that films grow with a preferred orientation with the (0 0 l) planes parallel to the substrate. The Texture Coefficient (TC) related to the plane (0 0 6) was 7.3. Resistivity values in the order of 1012 Ωcm were obtained for the oriented samples, but a strong polarization indicates severe charge transport problems in the films. Film properties were correlated with the growth temperature and with previous results for films of other halides.

Autor

Giles, M
Cuña, A
Sasen, N
Llorente, M.

Fuente

Crystal Research and Technology v. 39, no. 10, 2004. -- p. 906-911

Editor

Wiley

Fecha

2004

Derechos

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Formato

PDF

Idioma

Inglés

Tipo

Artículo

Identificador

DOI: 10.1002/crat.200410275

Document Item Type Metadata

Original Format

PDF
Fecha de agregación
April 17, 2015
Colección
Bibliografía Nacional Química
Tipo de Elemento
Document
Etiquetas
,
Citación
Giles, M, “Growth of lead bromide polycrystalline films.,” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed September 26, 2020, http://riquim.fq.edu.uy/items/show/2805.
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