Addition of an insulating element to the modified markov method for CdTe single crystals growth.

TELURO DE CADMIO

PROCESOS DE MARKOV

SEMICONDUCTORES

TRANSFERENCIA DE MASA

CALOR

BIBLIOGRAFIA NACIONAL QUIMICA

2004

CdTe single crystal, were grown by the Modified Markov Method. We have introduced an insulating element between the furnace and the growth chamber, trying to minimize the radiation effects in the crystal. Numerical simulation of the heat transfer phenomena predict a reduction of the axial temperature gradient in the growth chamber, confirming by numerical experimental measurements, leading to a more uniform growth. An improvement in the surface morphology and in the crystal quality as well was achieved, evaluated by the combination of X-ray rocking curves, etch pit density determination and low temperature photoluminescence.

Crystal Research and Technology v. 39, no. 10, 2004. -- p. 892-898

Wiley

2004

Información sobre Derechos de Autor

(Por favor lea este aviso antes de abrir los documentos u objetos)

La legislación uruguaya protege el derecho de autor sobre toda creación literaria, científica o artística, tanto en lo que tiene que ver con sus derechos morales, como en lo referente a los derechos patrimoniales con sujeción a lo establecido por el derecho común y las siguientes leyes

(LEY 9.739 DE 17 DE DICIEMBRE DE 1937 SOBRE PROPIEDAD LITERARIA Y ARTISTICA CON LAS MODIFICACIONES INTRODUCIDAS POR LA LEY DE DERECHO DE AUTOR Y DERECHOS CONEXOS No. 17.616 DE 10 DE ENERO DE 2003, LEY 17.805 DE 26 DE AGOSTO DE 2004, LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006 LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006)

ADVERTENCIA - La consulta de este documento queda condicionada a la aceptación de las siguientes condiciones de uso: Este documento es únicamente para usos privados enmarcados en actividades de investigación y docencia. No se autoriza su reproducción con fines de lucro. Esta reserva de derechos afecta tanto los datos del documento como a sus contenidos. En la utilización o cita de partes debe indicarse el nombre de la persona autora.

PDF

Inglés

Artículo

DOI: 10.1002/crat.200410273

PDF