Dual doped monolayer and bilayer graphene : The case of 4p and 2p elements

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Título

Dual doped monolayer and bilayer graphene : The case of 4p and 2p elements

Tema

CARBONO
NANOMATERIALES
GRAFENO
BIBLIOGRAFIA NACIONAL QUIMICA
2016

Abstract

4p/2p dual-doped monolayer and bilayer graphene were studied via first principle calculations. Generally, dopants prefer to be agglomerated. A second dopant significantly reduces formation energies. Thus, partially reduced graphene oxide would favor substitutional doping by facilitating the introduction of the 4p dopants. Dual-doping can tune the band gap from 0.1 to 0.8 eV. For bilayer graphene, large atomic radii elements (Gallium and Germanium) form interlayer bonds with the undoped sheet. For some dual-doped graphenes, interlayer GaC and GeC bonds were formed, increasing the chemical reactivity of the undoped layer and affecting its electronic structure, with metallic or semiconducting characters observed.

Fuente

Chemical Physics Letters v. 658, 2016. -- p. 152-157

Editor

Elsevier

Fecha

2016

Derechos

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Formato

Pdf

Idioma

Inglés

Tipo

Artículo

Identificador

DOI: 10.1016/j.cplett.2016.06.032

Document Item Type Metadata

Original Format

PDF
Fecha de agregación
September 7, 2016
Colección
Bibliografía Nacional Química
Tipo de Elemento
Document
Etiquetas
, ,
Citación
Denis, Pablo A., “Dual doped monolayer and bilayer graphene : The case of 4p and 2p elements,” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed April 24, 2024, https://riquim.fq.edu.uy/items/show/4327.
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