Electrodeposition and ab Initio Studies of Metastable Orthorhombic Bi2Se3 : A Novel Semiconductor with Bandgap for Photovoltaic Applications

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Título

Electrodeposition and ab Initio Studies of Metastable Orthorhombic Bi2Se3 : A Novel Semiconductor with Bandgap for Photovoltaic Applications

Tema

SEMICONDUCTORES
ANTIMONIO
BISMUTO
BIBLIOGRAFIA NACIONAL QUIMICA
2016

Abstract

A metastable phase of Bi2Se3 with orthorhombic structure has been obtained by potentiostatic electrodeposition onto Si(100) substrate. The ideal stoichiometry and single orthorhombic phase could be obtained only within a restricted potential window, where mutual underpotential co-deposition is assumed to occur. Optical and electrical characterization indicates a bandgap of 1.25 eV, close to the maximum efficiency in the Shockley–Queisser limit, and n-type semiconducting behavior with moderate electrical resistivity. Theoretical calculations using density functional theory were used to support the structural and optical results. Due to the favorable set of properties with respect to isomorphic compounds such as Bi2S3, Sb2S3, and Sb2Se3, this material could lead to efficient and low-cost new thin film-based photovoltaic device

Autor

Tumelero, M. A.
Benetti, L. C.
Isoppo, E.
Zangari, G.
Pasa, A. A.

Fuente

Journal of Physical Chemistry C  v. 120, 2016. -- p. 11797-11806

Editor

ACS

Fecha

2016

Derechos

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Formato

PDF

Idioma

Inglés

Tipo

Artículo

Identificador

DOI:10.1021/acs.jpcc.6b02559

Document Item Type Metadata

Original Format

PDF
Fecha de agregación
September 30, 2016
Colección
Bibliografía Nacional Química
Tipo de Elemento
Document
Etiquetas
, ,
Citación
Tumelero, M. A., “Electrodeposition and ab Initio Studies of Metastable Orthorhombic Bi2Se3 : A Novel Semiconductor with Bandgap for Photovoltaic Applications,” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed March 28, 2024, https://riquim.fq.edu.uy/items/show/4398.
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