The role of interstitial native defects in the topological insulator Bi2Se3

Dublin Core

Título

The role of interstitial native defects in the topological insulator Bi2Se3

Tema

BISMUTO
SELENIO
SEMICONDUCTORES
BIBLIOGRAFIA NACIONAL QUIMICA
2016

Abstract

Bi2Se3 is a prominent narrow gap semiconductor with a rhombohedral crystal structure and potential applications in thermoelectric and spintronic technologies. Its electrical conduction is ruled by native point defects inducing an n-type degenerate behavior. Here, we present a first principles study of the point defects in Bi2Se3, focusing on the relevance of the interstitial sites. A density functional methodology was employed with van der Waals correction and spin–orbit coupling in order to achieve a better description of the defects. The results indicate that interstitial Bi atoms in octahedral sites between two consecutive quintuple layers have a lower formation energy than selenium vacancies and that these interstitials could act as a possible source of free electron carriers. In addition, we show that the utilization of an experimental or strained lattice constant in the calculations may lead to an under- or overestimation of the defect formation energies.

Autor

Tumelero, Milton A
Pasa, André A

Fuente

Journal of Physics: Condensed Matter  v. 28, no. 42, 2016. -- 5p. -- e425801

Editor

IOPScience

Fecha

2016

Derechos

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Formato

PDF

Idioma

Inglés

Tipo

Artículo

Identificador

DOI: 10.1088/0953-8984/28/42/425801

Document Item Type Metadata

Original Format

PDF
Fecha de agregación
March 15, 2017
Colección
Bibliografía Nacional Química
Tipo de Elemento
Document
Etiquetas
, ,
Citación
Tumelero, Milton A, “The role of interstitial native defects in the topological insulator Bi2Se3,” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed October 23, 2019, http://riquim.fq.edu.uy/items/show/4564.
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