Modelling magnetism of C at O and B monovacancies in graphene

Dublin Core

Título

Modelling magnetism of C at O and B monovacancies in graphene

Tema

MAGNETISMO
GRAFENO
BIBLIOGRAFIA NACIONAL QUIMICA
2013

Abstract

The presence of defects can introduce important changes in the electronic structure of graphene, leading to phenomena such as C magnetism. In addition, vacancies are reactive and permit the incorporation of dopants. This paper discusses the electronic properties of defective graphene for O and B decoration. Phonon calculations allow us to address directly the stability of the systems under study. We show that it is possible to obtain magnetic solutions with and without dangling bonds, demonstrating that C magnetism can be achieved in the presence of B and O.

Autor

Kaloni, T. P.
Upadhyay Kahaly, M.
Schwingenschlögl, U.

Fuente

Carbon v. 64, 2013. -- p. 281-287

Editor

Elsevier

Fecha

2013

Derechos

Información sobre Derechos de Autor

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Formato

PDF

Idioma

Inglés

Tipo

Artículo

Identificador

https://doi.org/10.1016/j.carbon.2013.07.062

Document Item Type Metadata

Original Format

PDF
Fecha de agregación
October 30, 2017
Colección
Bibliografía Nacional Química
Tipo de Elemento
Document
Etiquetas
,
Citación
Kaloni, T. P., “Modelling magnetism of C at O and B monovacancies in graphene,” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed January 18, 2019, http://riquim.fq.edu.uy/items/show/4709.
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