Impact of oxygen adsorption on the electronic properties and contact type of a defective epitaxial graphene-SiC interface

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Título

Impact of oxygen adsorption on the electronic properties and contact type of a defective epitaxial graphene-SiC interface

Tema

DFT
GRAFENO
CARBURO DE SILICIO (SiC)
ADSORCION
BIBLIOGRAFIA NACIONAL QUIMICA
2021

Abstract

Adsorption and dissociation of molecular oxygen on a defective graphene buffer layer (BL) grown on Siterminated
SiC(0001) are herein studied by means of periodic DFT calculations coupled with the nudged elastic band method. We considered a single vacancy (SV) and a divacancy (DV) defective BL on SiC, with or without the uppermost epitaxial monolayer graphene (EG). The adsorption energy of O2 on SV and DV surfaces, producing SV-O and DV-O oxidized systems, is between 2 and 3 times as strong as that on a defect-free BL surface and lacks an energy barrier. In addition, we demonstrate that the n-doping measured in the EG layer of SiC-BL-EG systems, which stems from the charge transfer in the SiC-BL interface, can be fully compensated by oxidizing the DV defective BL. The DV-O-EG interface forms a p-type Schottky contact with a small Schottky barrier height.
Instead, a p-type Ohmic contact was measured at the SV-O-EG interface.

Fuente

Computational and Theoretical Chemistry, v. 1203, 2021. -- e113361

Editor

Elsevier

Fecha

2021

Derechos

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Formato

PDF

Idioma

Inglés

Tipo

Artículo

Identificador

10.1016/j.comptc.2021.113361

Document Item Type Metadata

Original Format

PDF
Fecha de agregación
October 20, 2021
Colección
Bibliografía Nacional Química
Tipo de Elemento
Document
Etiquetas
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Citación
Pereyra Huelmo, Claudia, “Impact of oxygen adsorption on the electronic properties and contact type of a defective epitaxial graphene-SiC interface,” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed December 8, 2021, http://riquim.fq.edu.uy/items/show/6401.
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