Impact of oxygen adsorption on the electronic properties and contact type of a defective epitaxial graphene-SiC interface
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SiC(0001) are herein studied by means of periodic DFT calculations coupled with the nudged elastic band method. We considered a single vacancy (SV) and a divacancy (DV) defective BL on SiC, with or without the uppermost epitaxial monolayer graphene (EG). The adsorption energy of O2 on SV and DV surfaces, producing SV-O and DV-O oxidized systems, is between 2 and 3 times as strong as that on a defect-free BL surface and lacks an energy barrier. In addition, we demonstrate that the n-doping measured in the EG layer of SiC-BL-EG systems, which stems from the charge transfer in the SiC-BL interface, can be fully compensated by oxidizing the DV defective BL. The DV-O-EG interface forms a p-type Schottky contact with a small Schottky barrier height.
Instead, a p-type Ohmic contact was measured at the SV-O-EG interface.
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- Fecha de agregación
- October 20, 2021
- Colección
- Bibliografía Nacional Química
- Tipo de Elemento
- Document
- Etiquetas
- Adsorción, Carburo de silicio (SiC), DFT, Grafeno
- Citación
- Pereyra Huelmo, Claudia, “Impact of oxygen adsorption on the electronic properties and contact type of a defective epitaxial graphene-SiC interface,” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed April 25, 2024, https://riquim.fq.edu.uy/items/show/6401.
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