On the electronic properties of defective graphene buffer layer on 6HeSiC(0001)
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Abstract
on silicon carbide (SiC) can be modified by defect-induced itinerant states. Band structures and effective
masses of single vacancy (SV), divacancy (DV) and Stone-Wales (SW) defective BL were calculated.
Structural reconstruction at the vicinity of defects as well as spin polarization of silicon dangling bonds in the top bilayer SiC and nearby carbons from the BL, give rise to energetically degenerate magnetic states displaying electronic properties completely apart. This is particularly true for the SW and SV defective models where as many as three different magnetic states, turned out to be degenerate, either displaying a semiconductor nature or becoming half-metallic or even metallic. This is in contrast with previously reported results for the perfect BL (PBL) which suggested that most stable degenerate magnetic configurations share a semiconductor nature. On the other hand, for the DV system, the introduction of two
vacancies in the BL causes loss of magnetism whereas a band gap of 0.54 eV is opened. Hole effective masses decay upon removal of one and two carbon atoms in the SV and DV systems where an increase in
mobility is conceivable, provided current direction is carefully selected.
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Original Format
- Fecha de agregación
- October 20, 2021
- Colección
- Bibliografía Nacional Química
- Tipo de Elemento
- Document
- Etiquetas
- Cálculos DFT, Carburo de silicio (SiC), Grafeno, Propiedades electrónicas
- Citación
- Pereyra Huelmo, Claudia, “On the electronic properties of defective graphene buffer layer on 6HeSiC(0001),” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed March 24, 2023, http://riquim.fq.edu.uy/items/show/6402.
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