Feasibility of HgBrI as photoconductor for direct X-ray imaging.

RAYOS X

IMAGENES

BIBLIOGRAFIA NACIONAL QUIMICA

2005

Films of HgBrI (eutectic composition) were grown by the physical vapor deposition method on palladium-coated glass substrates 2’’ 2’’ in size. The growth was performed in a system especially designed and constructed for getting a fine control of the growth parameters. The best growth conditions were a source temperature of 116 C, a growth temperature of 40 C and a growth time of 3 h, with an initial pressure of 6 10 3 Pa. Film thicknesses and grain sizes gave values ranging between 100 and 350 m (10%), and between (10 5) and (50 20) m, respectively. The dark current density of the films is higher than 10 pA/mm2 (maximum value required for the application) for electric fields above 0.03 V/ m, and the resistivity is 3 8 1011 .cm. Electron and hole mobility-lifetimes of 7 1 10 6 cm2/V y 1 0 10 5 cm2/V were estimated. HgBrI films give a sensitivity to X-rays of 65 nC/R cm2 for an X-ray beam of 70 KVp, with an electric field of 0.25 V/ m applied to the film. Taking into account that this is the first attempt on growing films with this material, these results indicate HgBrI as a new compound semiconductor candidate for the application.

IEEE Transactions on Nuclear Science v. 52, no. 6, 2005. -- p. 3103-3106

IEEE

2005

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Doi: 10.1109/TNS.2005.862918

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