Band Gap Opening in Dual-Doped Monolayer Graphene

Dublin Core

Título

Band Gap Opening in Dual-Doped Monolayer Graphene

Tema

NANOTECNOLOGIA
GRAFENO
BIBLIOGRAFIA NACIONAL QUIMICA
2016

Abstract

By means of periodic density functional calculations, we have studied the effect of dual doping on the stability and electronic structure of graphene. To this end, we substituted two carbon atoms with one 2p element (B, N, or O) and one 3p element (Al, Si, P or S). We determined that, in all cases, dual doping is much easier to attain than the introduction of only one dopant into the graphene framework. We demonstrate that this conclusion does not depend on the chemical species used to compute the formation energies. Moreover, we show what condition the dopants must satisfy to prefer dual doping over monodoping. Regarding the electronic properties, we found that, in most cases, the gaps computed at the HSE level for the dual-doped graphenes are smaller than those estimated for monodoped graphenes, despite the lower concentration of dopant present in the latter. In effect, for some dual-doped graphenes, the structures of the Dirac cones were found to be preserved, and gaps as small as 0.02 eV were computed.

Autor

Pereyra Huelmo, C.
Martins, A. S.

Fuente

Journal of Physical Chemistry C v. 120, no. 13, 2016. -- p. 7103-7112

Editor

ACS

Fecha

2016

Derechos

Información sobre Derechos de Autor

(Por favor lea este aviso antes de abrir los documentos u objetos)

La legislación uruguaya protege el derecho de autor sobre toda creación literaria, científica o artística, tanto en lo que tiene que ver con sus derechos morales, como en lo referente a los derechos patrimoniales con sujeción a lo establecido por el derecho común y las siguientes leyes (LEY 9.739 DE 17 DE DICIEMBRE DE 1937 SOBRE PROPIEDAD LITERARIA Y ARTISTICA CON LAS MODIFICACIONES INTRODUCIDAS POR LA LEY DE DERECHO DE AUTOR Y DERECHOS CONEXOS No. 17.616 DE 10 DE ENERO DE 2003, LEY 17.805 DE 26 DE AGOSTO DE 2004, LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006 LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006)

ADVERTENCIA - La consulta de este documento queda condicionada a la aceptación de las siguientes condiciones de uso: Este documento es únicamente para usos privados enmarcados en actividades de investigación y docencia. No se autoriza su reproducción con fines de lucro. Esta reserva de derechos afecta tanto los datos del documento como a sus contenidos. En la utilización o cita de partes debe indicarse el nombre de la persona autora.

Formato

PDF

Idioma

Inglés

Tipo

Artículo

Identificador

DOI: 10.1021/acs.jpcc.5b11709

Document Item Type Metadata

Original Format

PDF
Fecha de agregación
September 26, 2016
Colección
Bibliografía Nacional Química
Tipo de Elemento
Document
Etiquetas
,
Citación
Denis, Pablo A., “Band Gap Opening in Dual-Doped Monolayer Graphene,” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed March 24, 2019, http://riquim.fq.edu.uy/items/show/4366.
Archivos