Non-trivial band gaps and charge transfer in Janus-like functionalized bilayer boron arsenide

Dublin Core

Título

Non-trivial band gaps and charge transfer in Janus-like functionalized bilayer boron arsenide

Tema

ARSENIURO DE BORO
ANALISIS DE CARGA

Abstract

Herein, we predict the stability, structural and electronic properties of Janus-like boron arsenide (BAs) bilayer with the help of DFT calculations. We combine one hydrogenated and one fluorinated BAs layers in different stacking and arrangements. The interlayer charge transfer is also calculated and discussed with the help of various charge population mechanism. In addition to this, the choice of basis set is critical in determining the interlayer distances and consequently, the energy gaps. Additionally, the layer-resolved PDOS, at vdW-DF level, revealed that these bilayers are type-II semiconductors as the valence and conduction bands are composed of different layers. Furthermore, the band gap of these bilayers can efficiently be engineered from 0 to 0.54 eV by controlling the arrangement of the layers. That being said, the electronic properties can optionally be tuned from semiconducting to semimetallic. Additionally, the shape of the conduction band minima and the heavy-, light-hole bands provides the opportunity of utilization of these bilayers in ultrafast nanoelectronics.

Autor

Ullah, Saif
Sato, Fernando

Fuente

Computational Materials Science v. 170, 2019. -- p. 1-7.--e109186

Editor

Elsevier

Fecha

2019

Derechos

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Formato

Pdf

Idioma

Inglés

Tipo

Artículo

Identificador

DOI: 10.1016/j.commatsci.2019.109186

Document Item Type Metadata

Original Format

Pdf
Fecha de agregación
January 16, 2020
Colección
Bibliografía Nacional Química
Tipo de Elemento
Document
Etiquetas
,
Citación
Ullah, Saif, “Non-trivial band gaps and charge transfer in Janus-like functionalized bilayer boron arsenide,” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed June 3, 2020, http://riquim.fq.edu.uy/items/show/5958.
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