Simulation and characterization of CdTe:Bi crystals grown by the Markov method.

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Title

Simulation and characterization of CdTe:Bi crystals grown by the Markov method.

Subject

CRISTALOGRAFIA
BIBLIOGRAFIA NACIONAL QUIMICA
2005

Abstract

CdTe pure and Bi-doped crystals were grown by the Markov method using an insulating element between the ampoule and the furnace. The numerical simulation performed shows that the presence of a graphite element causes a diminution of the axial temperature gradient, reducing the natural convection inside the growth chamber. This leads to a more stable growth process, improving the crystal quality. Morphological surface studies, Raman spectroscopy and photoluminescence mapping, support our prediction about the improved crystal quality when the graphite insulating element is included in the growth system. Its influence on different defects of the crystal is also discussed.

Creator

Saucedo, E
Ruiz, C. M
Martinez, O
Sochinskii, N.V
Sanz, L. F
Dieguez, E

Source

Journal of Crystal Growth v. 275, no. 1-2, 2005. -- p. e471-e477

Publisher

Elsevier

Date

2005

Rights

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Format

PDF

Language

Inglés

Type

Artículo

Identifier

doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.11.114

Document Item Type Metadata

Original Format

PDF
Date Added
April 6, 2015
Collection
Bibliografía Nacional Química
Item Type
Document
Tags
Citation
Saucedo, E et al., “Simulation and characterization of CdTe:Bi crystals grown by the Markov method.,” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed December 16, 2025, https://riquim.fq.edu.uy/items/show/2640.