Dual doped monolayer and bilayer graphene : The case of 4p and 2p elements

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Title

Dual doped monolayer and bilayer graphene : The case of 4p and 2p elements

Subject

CARBONO
NANOMATERIALES
GRAFENO
BIBLIOGRAFIA NACIONAL QUIMICA
2016

Abstract

4p/2p dual-doped monolayer and bilayer graphene were studied via first principle calculations. Generally, dopants prefer to be agglomerated. A second dopant significantly reduces formation energies. Thus, partially reduced graphene oxide would favor substitutional doping by facilitating the introduction of the 4p dopants. Dual-doping can tune the band gap from 0.1 to 0.8 eV. For bilayer graphene, large atomic radii elements (Gallium and Germanium) form interlayer bonds with the undoped sheet. For some dual-doped graphenes, interlayer GaC and GeC bonds were formed, increasing the chemical reactivity of the undoped layer and affecting its electronic structure, with metallic or semiconducting characters observed.

Source

Chemical Physics Letters v. 658, 2016. -- p. 152-157

Publisher

Elsevier

Date

2016

Rights

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Format

Pdf

Language

Inglés

Type

Artículo

Identifier

DOI: 10.1016/j.cplett.2016.06.032

Document Item Type Metadata

Original Format

PDF
Date Added
September 7, 2016
Collection
Bibliografía Nacional Química
Item Type
Document
Tags
, ,
Citation
Denis, Pablo A. and Iribarne, Federico, “Dual doped monolayer and bilayer graphene : The case of 4p and 2p elements,” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed November 17, 2025, https://riquim.fq.edu.uy/items/show/4327.