Crecimiento epitaxial de films de HgI2 en fase vapor, en el rango 50-100 um

Dublin Core

Título

Crecimiento epitaxial de films de HgI2 en fase vapor, en el rango 50-100 um

Tema

RADIOQUÍMICA
DETECTORES DE RADIACIÓN
FILMS CRISTALINOS
NUCLEACIÓN
FISICA DE LA MATERIA
TESIS DE MAESTRÍA
URUGUAY
TESIS

Autor

Noguera, Ana Lía

Editor

Facultad de Química
UdelaR

Fecha

2008

Derechos

Información sobre Derechos de Autor

(Por favor lea este aviso antes de abrir los documentos u objetos)

La legislación uruguaya protege el derecho de autor sobre toda creación literaria, científica o artística, tanto en lo que tiene que ver con sus derechos morales, como en lo referente a los derechos patrimoniales con sujeción a lo establecido por el derecho común y las siguientes leyes (LEY 9.739 DE 17 DE DICIEMBRE DE 1937 SOBRE PROPIEDAD LITERARIA Y ARTISTICA CON LAS MODIFICACIONES INTRODUCIDAS POR LA LEY DE DERECHO DE AUTOR Y DERECHOS CONEXOS No. 17.616 DE 10 DE ENERO DE 2003, LEY 17.805 DE 26 DE AGOSTO DE 2004, LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006 LEY 18.046 DE 24 DE OCTUBRE DE 2006)

ADVERTENCIA - La consulta de este documento queda condicionada a la aceptación de las siguientes condiciones de uso: Este documento es únicamente para usos privados enmarcados en actividades de investigación y docencia. No se autoriza su reproducción con fines de lucro. Esta reserva de derechos afecta tanto los datos del documento como a sus contenidos. En la utilización o cita de partes debe indicarse el nombre de la persona autora.

Formato

Papel

Extent

88 p.

Idioma

Español

Tipo

Tesis

Identificador

TM 541.28 NOG.

Cobertura

Uruguay
Fecha de agregación
April 23, 2013
Colección
Tesis de doctorado, maestría, trabajos de diploma y monografías técnicas
Tipo de Elemento
Document
Etiquetas
, ,
Citación
Noguera, Ana Lía, “Crecimiento epitaxial de films de HgI2 en fase vapor, en el rango 50-100 um,” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed September 28, 2020, http://riquim.fq.edu.uy/items/show/387.
Archivos