Triple Doped Monolayer Graphene with Boron, Nitrogen, Aluminum, Silicon, Phosphorus and Sulfur

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Título

Triple Doped Monolayer Graphene with Boron, Nitrogen, Aluminum, Silicon, Phosphorus and Sulfur

Tema

BORO
NITROGENO
ALUMINIO
FOSFORO
SULFURO
GRAFENO
BIBLIOGRAFIA NACIONAL QUIMICA
2017

Abstract

The structure, stability, electronic properties and chemical reactivity of X/B/N triple‐doped graphene (TDG) systems (X=Al, Si, P, S) are investigated by means of periodic density functional calculations. In the studied TDGs the dopant atoms prefer to be bonded to one another instead of separated. In general, the XNB pattern is preferred, with the exception of sulfur, which favors the SBN motif. The introduction of a third dopant results in a negligible decrease of the cohesive energies with respect to the dual‐doped graphene (DDG) counterparts. Thus, it is expect that these systems can be prepared soon. For SiNB TDG, the introduction of the B dopant reduces the gap opening at the K point and restores the Dirac cones that are destroyed in SiN DDG. On the contrary, for PNB TDG, the bandgap is increased with respect to PN DDG, probably because the introduction of B weakens the PN bonding, and thus the electronic structure is rather similar to that of P‐doped graphene. Finally, with regard to the reactivity of the TDGs, for AlNB, PNB, and SNB the carbon atoms are more reactive than in their AlN, PN, and SN DDG counterparts. On the contrary, the reactivity of SiNB is lower than that of SiN DDG. Therefore, to increase the reactivity of graphene, Al, P, and S should be combined with BN motifs

Autor

Ullah, Saif
Sato, Fernando

Fuente

ChemPhysChem v. 18, no. 14, 2017. -- p. 1864-1873

Editor

Wiley

Fecha

2017

Derechos

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Formato

PDF

Idioma

Inglés

Tipo

Articulo

Identificador

DOI: 10.1002/cphc.201700278

Document Item Type Metadata

Original Format

PDF
Fecha de agregación
April 5, 2018
Colección
Bibliografía Nacional Química
Tipo de Elemento
Document
Etiquetas
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Citación
Ullah, Saif, “Triple Doped Monolayer Graphene with Boron, Nitrogen, Aluminum, Silicon, Phosphorus and Sulfur,” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed September 22, 2018, http://riquim.fq.edu.uy/items/show/4910.
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