Concentration dependence of the band gaps of phosphorus and sulfur doped graphene

Dublin Core

Título

Concentration dependence of the band gaps of phosphorus and sulfur doped graphene

Tema

GRAFENO
FOSFORO
SULFURO
BIBLIOGRAFIA NACIONAL QUIMICA
2013

Abstract

First principle calculations were applied to study the electronic properties of S and P-doped graphene. In particular, the PBE and HSE06 density functionals were utilized. The comparison of the band gaps obtained with both functionals indicated that the band gaps at the PBE level are only slightly smaller than those obtained with HSE06. Specifically, the deviation variation was much smaller than that observed for carbon nanotubes or graphane. Phosphorus doping is somewhat more effective in opening larger optical gaps. The latter decreases very fast, upon lowering of dopant concentration. In the case of S-doping, for a doping concentration smaller than 0.5 at.%, the gaps are close to 0.1–0.2 eV, making the material not too attractive to develop graphene based electronics. However, for phosphorus doping, a dopant concentration of 0.5% is still useful as band gaps close to 0.3–0.4 eV are expected. Further work must be devoted to obtain larger band gaps by doping graphene with heteroatoms, which are necessary to develop graphene based electronics.

Fuente

Computational Materials Science  v. 67, 2013. -- p. 203-206

Editor

Elsevier

Fecha

2013

Derechos

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Formato

PDF

Idioma

Inglés

Tipo

Artículo

Identificador

http://dx.doi.org/10.1016/j.commatsci.2012.08.041
Fecha de agregación
July 26, 2013
Colección
Bibliografía Nacional Química
Tipo de Elemento
Document
Etiquetas
, ,
Citación
Denis, Pablo A., “Concentration dependence of the band gaps of phosphorus and sulfur doped graphene,” RIQUIM - Repositorio Institucional de la Facultad de Química - UdelaR, accessed March 30, 2020, http://riquim.fq.edu.uy/items/show/643.
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